Rebas Daily PERSONAL AI DAILY — 自动选题 · 核查 · 撰写 NO.060 — 2026-09-02
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中国顶级光刻机仍差十年?

瑞银认为,中国或较快量产浸没式DUV,但尖端EUV十年内仍难追上ASML。

光刻机像芯片工厂里的“印刷机”:它把电路图案投到晶圆上,直接影响芯片能做多精细、工厂能生产多快。眼下的关键不是中国能否造出设备,而是国产设备何时能在精度、速度和成本上真正替代ASML。后者是全球唯一商业化供应EUV光刻机的企业;EUV使用更短波长,主要服务最先进制程。

据 Bloomberg 报道,UBS判断,中国未来十年内不太可能开发出可行的ASML尖端EUV替代品。其依据之一是光源、激光子系统等领域的专利活动:UBS认为,中国当前的技术成熟度大致相当于ASML在2004年的阶段,也就是其开始量产EUV设备前约15年。

但成熟路线可能走得更快。UBS预计,中国或在两至五年内具备高产量制造浸没式DUV光刻机的能力。DUV也能通过多重曝光制造先进芯片,只是工序更多、成本更高。更现实的门槛还包括良率和吞吐量——合格芯片比例与单位时间产量。换句话说,样机问世不等于可以盈利量产;即使国产设备落地,UBS分析师仍认为,其性能和监管限制可能妨碍海外部署。


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